سلسلة مقالات كيف تصمم الدوائر الإلكترونية

ahcene_ch

عضو جديد
إنضم
12 يناير 2007
المشاركات
10
مجموع الإعجابات
0
النقاط
0
مشكور علي النصائح ششششششششششششششششششششششش
 

احمدالس

عضو جديد
إنضم
1 مايو 2013
المشاركات
7
مجموع الإعجابات
0
النقاط
0
ششششششششششششششششششششششششششششششششششششششششششششششششششششششششكرا
 

ِameenqaissi

عضو جديد
إنضم
18 سبتمبر 2014
المشاركات
1
مجموع الإعجابات
0
النقاط
0
السلام عليكم والله يأخي انك اكثر من رائع وجزاك الله كل خير :85:
 

محمودعمرو

عضو جديد
إنضم
12 ديسمبر 2009
المشاركات
5
مجموع الإعجابات
0
النقاط
0
السلام عليكم
بعد اذنكم يا جمااعة انا نزلت برنامج NI signal express2014 وعشان يشتغل لقيتوه محتاج السيريال نمبر ...مش عارف اجيبه منين !؟
 

عباس الهيازعي

عضو جديد
إنضم
2 يناير 2015
المشاركات
5
مجموع الإعجابات
0
النقاط
0
السلام عليكم جزاك الله خير . نشكر نشركم الرائع وندعو لكم بالموفقيه والنجاح الدائم انشاء الله
 

ماجد عباس محمد

عضو جديد
إنضم
3 سبتمبر 2006
المشاركات
5,325
مجموع الإعجابات
197
النقاط
0
أشكركم جميعا
سأضيف بضع مواضيع الآن لتوصيل الموسفيت على التوازى و التوالى لزيادة القدرة و ستضاف بإذن الله لجزء الترانزيستور فى ملفات pdf
 

ماجد عباس محمد

عضو جديد
إنضم
3 سبتمبر 2006
المشاركات
5,325
مجموع الإعجابات
197
النقاط
0
توصيل الموسفيت على التوازى MOSFET Parallel Connection

توصيل الموسفيت على التوازى MOSFET Parallel Connection:

أكثر استخدامات الموسفيت فى القدرات العالية كمفتاح إما لتشكيل الخرج كموجة جيبية أو لتوصيل و قطع أحمال كالموتورات و الريلايات و غيرها. لكن قد يكون احضار وحدات ذات قدرة أعلي غير متاح محليا، فهل يمكن التوصيل على التوالى و التوازى لزيادة القدرة؟

سبق أن ذكرنا أن التوصيل على التوازى ممكن بالنسبة للموسفيت لكن عند توصيل عدد منها تتدخل عدة عوامل لتجعل الإحتياط واجبا.
قبل أن نناقش الحلول لنتذكر سريعا ما هى المشكلة.
فى الترانزيستورات العادية يستولى أحدهم على التيار كله فيسخن و ينخفض أكثر الجهد عليه فيزيد التيار فيتلف.
أما فى الموسفيت فعند التوصيل يكون مقاومة وهى أقل من أوم فى الوحدات ذات الجهد العالى مثل IRF450;IRF640 حيث تتحمل 400 فولت و تقل إلى 0.02 أوم فى IRF540 مقابل 100 فولت و تنخفض إلى 4 مللى أوم مقابل 40 فولت للترانزيستور IRF1404
التوصيل إثنين على التوازى يتيح أن يزيد التيار مرة ونصف وليس مرتين كما نتوقع و السبب عدم تساوى قيم هذه المقاومات بين أفراد الرقم الواحد. و كل ترانزيستور آخر يعتبر بنصف قيمته فقط.
لذا لنخرج بالقاعدة الأولى : عند إصلاح جهاز ووجدت به ترانزيستور تالف من مجموعة موسفيت على التوازى، لا تختار بديل ولا تستبدل التالف. استبدل المجموعة كاملة و تكون من مصدر واحد و كل كتابتها متطابقة. لا تستخدم ترانزيستورين من ما لديك (جديد) و تستكمل من السوق فلن تتساوى المقاومات و سيكون الناتج عمره قصير.
القاعدة الثانية : تعودنا أن نعتبر الترانزيستور الذى يتحمل فولت أعلى سيكون أفضل، ليس دوما تأكد من قيمة المقاومة Ron و ستجدها لحسن الحظ فى أعلى أول صفحة من الداتا شيت حيث يعطى الفولت و التيار و المقاومة. لو لم تكن مساوية أو أقل سترتفع حرارته أكثر من سابقة فلا تشكو أنك استخدمت البديل ولكنه يسخن.
لو نظرنا لتوصيل هذه الترانزستورات معا
attachment.php

سنجد أن وصلة المصب Drain تجمع الثلاثة معا و كذا وصلة المنبع Source ، حسنا الآن من اين سنأخذ أطراف التوصيل للتغذية و الحمل؟
لو أخذنا من المصدر Source الأيمن سيكون المسار للأوسط أطول و للأيسر الأطول أيضا. ولو أخذنا من المنتصف سيكون مسار الأول و الأخير أطول. لذا حاول كما بالرسم التوصيل لنقطة ما على البوردة توفر مسارات متساوية طولا و عرض التراك أيضا. برنامج الرسم يقدم لك عادة بيانات كل تراك فتعلم كم طوله.
هنا الراسم الآلى Auto-Router لا يجدى.
لو الدائرة تستخدم فولت عالى فالمقاومة أصلا كبيرة و ستجد مقاومات صغيرة لتحسين تقسيم التيار بينهم ، إن لم تجد ، حسنا المصمم اعتبر أن سعره أقل من استخدام مقاومات وات عالى.
المشكلة تظهر أكثر فى الفولت الأقل و التيار الأعلى و لكن نظرا لصغر المقاومة الداخلية، يمكن استخدام أسلاك توصيل بطول واحد خارج البوردة لنقل التيار من طرف المصدر Source او المصب Drain لروزيتة التوصيل وهذا ما عبر عنه فى الدائرة التالية حيث تجد خط يوصل من كل مصدر Source إلى نقطة باسم "سالب البطارية Battery Negative لتأكيد هذا المسار"

attachment.php


فى محولات الإنفيرتر و حيث يكون تيار الإبتدائى كبير ( بطارية 12 فولت) ستنشأ الحاجة لإستخدام أكثر من سلك لتوفير القطر اللائم للتيار، حسنا يمكن جمعهم عند نقطة المنتصف فقط أما الأطراف فيوصل كل طرف لموسفيت وهذا يضمن تساوى التوزيع. مشروحة بالرسم تفصيلا فى سلسلة المحولات.
أيضا هناك نقطة هامة يجب أن تراعى خاصة لو التردد عالى، كلنا نعتبر أن البوابة Gate فى حكم المفصولة لمقاومتها العالية، هذا إلى حد بعيد صحيح لترانزيستور واحد لكن لمجموعة يجب أن نراعى أن السعة بين البوابة Gate و المصدر Source تجمع معا كمكثفات على التوازى و من ثم يجب على دائرة التشغيل توفير التيار اللازم لشحن و تفريغ هذه السعة.
ماذا لو أحتاج الأمر لفولت أعلى وليس متيسرا شراء وحدات ذات فولت عالى؟؟
 

المرفقات

  • MOSFET-Para00.png
    MOSFET-Para00.png
    3.2 KB · المشاهدات: 26
  • MOSFET-Para02.png
    MOSFET-Para02.png
    19 KB · المشاهدات: 24

ماجد عباس محمد

عضو جديد
إنضم
3 سبتمبر 2006
المشاركات
5,325
مجموع الإعجابات
197
النقاط
0
توصيل الموسفيت على التوالى MOSFET series connection

توصيل الموسفيت على التوالى MOSFET series connection :

هل يمكن توصيل الترانزيستورات الموسفيت على التوالى لزيادة الفولت؟!! قد يبدو الأمر أسهل من الترانزيستورات ثنائية القطبية – أو أصعب حسب ما ترى!!
لو نظرنا لهذه الدائرة سنجد أمرا سهلا جدا ، فالتحكم من بوابة Gate ترانزيستور واحد فقط عكس ما كان متوقعا، نعم و لهذا فهى أسهل ...
attachment.php

عندما تكون الترانزيستورات فى وضع القطع أى أن جهد بوابة الترانزيستور 1 = صفر Vgs1=0 فإن حسب المفترض سيكون كلاهما فى حال القطع.
من المفترض (ولى تحفظ على هذا) أن مقاومة الترانزيستورين متساوية فى حال القطع ومن ثم سينتصف جهد التغذية بينهما أى بجهد تغذية 120 فولت سيكون على كل منهما 60 فولت.
الجهد على بوابة الموسفيت العلوى يجب أن لا يزيد عن 60 فولت + جهد التوصيل وهو غالبا حوالى 4 فولت (إرجع للداتا شيت للترانزيستور الذى ستستخدمه و ستجده بمسمى VGS(th)Gate Threshold Voltage وهو الحد الذى سيبدأ عنده الترانزيستور الفتح) . هذا دور المقاومتان 1،2 فمن قانون كيرشوف و نظرية الإستبدال فى الجزء الأول (الأساسيات) نجد الجهد 120 فولت سيضع
120 × م1 ÷ مجموع م1+م2 وهو = 54 فولت و يضاف إليه ما يسببه المصدر 15 فولت وهو
15 × م2 ÷ مجموع م1+م2 وهو = 8.24 فولت و المجموع
54 فولت + 8.24 فولت = 62.24 فولت أى أعلى من جهد المصدر Source بقيمة 2.24 فولت فيكون أيضا الترانزيستور 2 مغلق.
نلاحظ هنا أن قيمة الحمل Rl صغيرة جدا بالنسبة للمقاومات 1 ميجا الخ لذا تهمل.
الآن عندما تأتى النبضة (الجزء الأخضر) لفتح الموسفيت 1 سيوصل و يهبط جهد المصب Drain من 60 فولت إلى صفر أو 1 فولت حسب مقاومته الداخلية و التيار المار و طبعا الهبوط ليس فجائيا ولكنه فى زمن قصير جدا.
هذا الهبوط سيجعل مصدر Source الموسفيت 2 أيضا مساويا له لحظيا فيفتح الموسفيت العلوى بنفس المعدل جاعلا جهد مصب Drain الموسفيت 2 العلوى أيضا صفر أو 2 فولت أيضا حسب مقاومته الداخلية و التيار المار به فينخفض جهد البوابة Gate له و يصبح المصدر 15 فولت فقط هو ما يبقيه مفتوحا لأنه يسبب فولتا
15 × م2 ÷ مجموع م1+م2 وهو = 8.24 فولت وهو كافى
عند الإغلاق تعود الدائرة لسابق عهدها.
المكثفات C1,C2 هى للتسريع و كل شرطها أن R1C1=R2C2 و يجب أن لا تزيد قيمتها فتبطء الإستجابة.
قبل أن نناقش التحفظات، هل يمكن أن نزيد عدد الموسفيت؟
حسنا المرة القادمة نناقش الدائرة بثلاث ترانزيستورات إن شاء الله
 

المرفقات

  • MOSFET-Ser00.png
    MOSFET-Ser00.png
    6.3 KB · المشاهدات: 22

taha81

عضو جديد
إنضم
21 سبتمبر 2015
المشاركات
1
مجموع الإعجابات
0
النقاط
0
شكرا والشرح كويس جدا لكن لوكان الشرح مصحوب معه صور سيكون افضل
 

فادى علاء

عضو جديد
إنضم
12 أغسطس 2014
المشاركات
9
مجموع الإعجابات
0
النقاط
0
جميل

ممتاز
 
التعديل الأخير بواسطة المشرف:

ماجد عباس محمد

عضو جديد
إنضم
3 سبتمبر 2006
المشاركات
5,325
مجموع الإعجابات
197
النقاط
0
ثلاث موسفيت على التوالى

ثلاث موسفيت على التوالى:

بنفس الشرح الذى قلناه المرة الماضية يمكن أن نستخدم ثلاث ترانزيستورات على التوالى ولا ننسى أن الفولت ارتفع من 120 إلى 180 فولت هكذا
attachment.php

الموسفيت الأول كالسابق تماما
الموسفيت الثانى أيضا مطابق إلا أن المقاومة م2 (وهى هنا باسم م4) قد نقصت قيمتها لأن م2 كانت تأخذ من 120 فولت أما المقاومة م4 فتأخذ من 180 فولت.
الآن الترانزيستور الثالث بنفس الطريقة و نفس اسلوب الحساب.
هنا استخدم مصدر 20 فولت وليس هذا حتميا و لكن سنرى المرة القادمة دائرة أخرى لها مصدر بوابة واحد.

أيضا يمكن إرجاع مقاومات الترانزيستور الأوسط (م3) لمصبه Drain بدلا من مصدر التغذية كما سنرى لاحقا.

الآن لنناقش التحفظات التى نوهت عنها، كل المواقع تنص على أن عندما تكون الموسفيتات فى حال القطع ستكون المقاومة الداخلية عالية جدا ولكنها متساوية و من هنا الفولت ينقسم بالتساوى عليها، حسنا من يضمن هذا؟ لذا من الأفضل أن نضع مقاومات كبيرة و متساوية 200ك إلى 1 ميجا بين كل Drain-Source مصدر مصب لكل ترانزيستور (المبينة باللون الأحمر) – متساوية لتقوم بالتوزيع المتساوى بين الترانزيستورات.
التحفظ الثانى هو عندما نعلو بالفولت كثيرا كأن نستخدم ترانزيستورات 400 فولت للوصول إلى 1200 فولت، فإن استخدام مقاومات كمجزء جهد يجب أن يكون بحيطة كبيرة فالفرق بين البوابة و المصدر لا يعدو 4 فولت وهى بالنسبة للموسفيت العلوى 4 : 1200 أى دقة 0.33% وهذا صعب تحقيقة، و هناك تحايل على هذا الأمر أن مدى تحمل بوابة الموسفيت هو +/-20 فولت لذا يراعى عند القطع أن يكون جهد بوابة الموسفيت بالنسبة لمصدره Vgs فى حدود -10 فولت إلى -15فولت مما يجعل 15 فولت :1200 نسبة 1% وهى أفضل .
 

المرفقات

  • MOSFET-Ser01.png
    MOSFET-Ser01.png
    5.7 KB · المشاهدات: 23

ماجد عباس محمد

عضو جديد
إنضم
3 سبتمبر 2006
المشاركات
5,325
مجموع الإعجابات
197
النقاط
0
ثلاث موسفيت على التوالى – طريقة أخرى

ثلاث موسفيت على التوالى – طريقة أخرى:

هذه طريقة أخرى مرفوعة فى هذا الموقع
http://scholar.lib.vt.edu/theses/available/etd-12092010-221223/unrestricted/Wang_W_T_2010.pdf
و بها بعض الإختلافات التى تشكل فرقا فى سهولة الضبط و التنفيذ إلا انها تستخدم مكونات أكثر قليلا.
attachment.php

نلاحظ هنا أن المصمم استخدم الدائرة التقليدية لبوابة الموسفيت إلا أن القيم اختلفت و أضاف هنا ثنائى سريع القطع لكل ترانزيستور ( الثنائى D5 للموسفيت Q3 و الثنائى D4 للموسفيت Q2 فقط ) . المصدر V3هو ما يمد بوابات الموسفيت Gates بجهد الفتح المناسب.
المصدر V1هو ما يمد الدائرة و الحمل بجهد التشغيل المستمر و لنفترض أنه مثلا 1200 فولت و كما سبق سيكون على كل ترانزيستور 400 فولت.
المصدر V2هو ما يمد الدائرة بنبضات الفتح و الغلق + 15 فولت.
عندما يكون V2 = صفر و الدائرة مغلقة، سنجد على النقطة 1 جهد 400 فولت و على النقطة 2 جهد 800 فولت على النقطة 3 جهد 1200 فولت.
كما ذكرنا سابقا فحساب جهد القاعدة لأى ترانزيستور يكون بحساب جهد المصدر مع مجزء الجهد من مقاومتين مضافا إليه جهد الفتح V3 مجزء بنفس المقاومتين فمثلا لأول ترانزيستور Q1 لا نحسب له و مقاومته R1 هى المقاومة العادية فى أى دائرة.
لننسى للحظة الدايودات فى الدائرة، بالنسبة للموسفيت Q2 و حيث أن جهد بوابته يأخذ من جهد مصدره Source النقطة 1 إلى المصدر V3 وهو 15 فولت، فالجهد على قاعدته نسبة إلى مصدره Vgs2 سيكون دوما أقل من جهد المصدر 400 فولت، لذا و بالأخذ فى الإعتبار أن أقصى تحمل للبوابة هو 20 فولت أقل من جهد المصدر source (من الداتا شيت) سنحسب قيم المقاومات التى تضع على البوابة نصف مدى التحمل أى أقل بقيمة 10 فولت أى 390 فولت كما بالرسم.
جهد البوابة كالمثال السابق = 400 × م2 ÷ مجموع م2،م4 + 15 × م4 ÷ مجموع م2،م4
لو افترضنا قيمة م2 = ا ميجا أوم
جهد البوابة 390 = 400 × 1 ÷ مجموع 1،م4 + 15 × م4 ÷ مجموع 1،م4
(1+م4) × 390 = 400 + 15 × م4
390 + 390 ×م4 = 400 + 15 × م4
375 × م4 = 10
إذن م4 = 10 ÷ 375 = 0.0266 ميجا أى 27 ك أوم
و بالمثل نفترض م3 = 1 ميجا
790 = 800 ÷ المجموع + 15 × م5 ÷ المجموع
790 + 790 × م5 = 800 + 15 × م5
775 × م5 = 10
م5 = 13ك أوم
attachment.php


الآن عندما تكون قيمة V2 = +10 فولت لفتح الترانزيستور Q1 فإن جهد المصب نتيجة التوصيل سيصبح صفرا أو قريبا من ذلك ، و هنا مصدر Q2سيصبح صفرا أيضا و يصبح المصدر V3 بقيمة 15 فولت هو المهيمن الآن مسببا له أن يفتح أيضا فيصبح قصر كما باللون الأخضر مسببا للموسفيت Q3 أن يفتح و يكون قصر أيضا ، و تتكرر نفس العملية أيضا مع Q3 و يفتح.
لكن هناك نقطة هامة وهى أن المقاومة م4 = 27 ك فقط بجوار م2 = 1 ميجا وهو مجزء جهد لا يبقى ما يكفى لفتح الموسفيت، هذا صحيح وهنا يأتى دور الدايود D4 الذى يفصل ما بين م4 و م2 عند التوصيل و الدايود D5 ليفصل بين م3 و م5 ، لذا هذه الدايودات يجب أن تكون تتحمل الجهد العالى و أيضا سرعة القطع و التوصيل، مثلا UF4005 وهو سريع جدا و يتحمل جهد عالى و التيار هنا قليل جدا لذا 1 أمبير أكثر من كافى.
بقى الزينر م8 و الدايود D7 فمعذرة لا يجوز توصيل زينر على التوازى مع مصدر فلو زاد المصدر عن جهد الزينر سينهار الزينر مسببا قصر على المصدر و لو كان المصدر أقل فلا دور للزينر، أما الدايود D7 فهو فقط حماية لو انهارت بوابة أى موسفيت لأى سبب فلا يذهب الجهد العالى للمصدر وليس بالضرورة أن يكون سريع.
باقى الدايودات 1،2،3 هى الموجودة داخل كل موسفيت ولا تضاف خارجيا.

المرة القادمة إن شاء الله سنضع أبسط الطرق وهى تعديل من كل النسق السابقة
 

المرفقات

  • MOSFET-Ser10.png
    MOSFET-Ser10.png
    4.9 KB · المشاهدات: 22
  • MOSFET-Ser11.png
    MOSFET-Ser11.png
    4 KB · المشاهدات: 22

ماجد عباس محمد

عضو جديد
إنضم
3 سبتمبر 2006
المشاركات
5,325
مجموع الإعجابات
197
النقاط
0
ثلاث موسفيت على التوالى – طريقة أخرى

ثلاث موسفيت على التوالى – طريقة أخرى:

هذه الدائرة هى الأبسط ولا تحتاج كثير من الحسابات ، فكل موسفيت متصل بمقاومة بين البوابة و المصدر Gate Source كما بالرسم وهى أى قيمة تكفى لغلق الموسفيت مثلا 100ك أوأقل حتى 20ك .
attachment.php

الآن الثلاثة فى حال الغلق و نظرا لكون D1 يعزل و يمنع V3 من التفاعل مع الدائرة، لذا سيكون جهد بوابة Q2 هو 400 فولت و بالمثل مع D2 سيكون جهد بوابة Q3 800 فولت.
attachment.php


الآن عندما يكون V2 فى حال الفتح أى +10 فولت أو أعلى، سيفتح Q1 و يكون جهد مصبه = صفر و هنا سيكون مصدر Q2 أيضا مساوى صفرا و كذا بوابته تنخفض لكن الدايود D1 سيفتح واضعا 15 فولت من V3 على بوابة Q2 فيفتح و يصبح قصرا أيضا جاعلا جهد مصبه صفرا أيضا فيتكرر نفس الشيء مع Q3 فيفتج أيضا.

الدايودات D1,D2 توفران العزل ضد انهيار بوابة أى موسفيت لو استخدمت UF4005 .
عندما يعود V2 للصفر أى وضع القفل، سيبدأ جهد مصبه Drain فى الإرتفاع، و فور ارتفاعه عن 15 فولت قيمة V3 سيقفل الدايود D1 فاصلا بوابة Q2 و أيضا D2 فاصلا بوابة Q3 من ثم سيغلق كلا من , Q3 Q2 معا و تعود الدائرة لوضعها الأصلى.
 

المرفقات

  • MOSFET-Ser12.png
    MOSFET-Ser12.png
    3.9 KB · المشاهدات: 23
  • MOSFET-Ser13.png
    MOSFET-Ser13.png
    3.6 KB · المشاهدات: 23
  • LM380-03.png
    LM380-03.png
    5.2 KB · المشاهدات: 18
التعديل الأخير:

ماجد عباس محمد

عضو جديد
إنضم
3 سبتمبر 2006
المشاركات
5,325
مجموع الإعجابات
197
النقاط
0
محلل النغمات 567 LM567 Tone Decoder

محلل النغمات 567 LM567 Tone Decoder
أولا ما هو محلل النغمات أو Tone Decoder ؟ هو عبارة عن دائرة متكاملة تستطيع التمييز بين نغمة أو تردد محدد وسط مجموعة ترددات و إعطاء خرج يحدد ما إذا كان هذا التردد موجودا أم لا
هذا الوصف لأبسط أشكال هذه الوظيفة و أوسعها استخداما أيضا لأنها لا تحدنا بتردد محدد، و هناك صورة مركبة من هذه الوظيفة تسمى DTMF decoder أو محلل النغمات المزدوجة معددة التردد وهى باختصار الأنغام التى تحدد أرقام الهاتف والمصاحبة لها.
من أكثر استخداماتها FSK ، التحكم عن بعد
و لماذا نصنع دائرة متكاملة خصيصا لهذا الغرض؟
ببساطة عند الرغبة فى عمل هذه الوظيفة عند تردد أعلى من 300ك سنجد من السهل توفير دائرة رنين من ملف ومكثف لأداء الوظيفة على أفضل وجه لكن كلما قل التردد زادت سعة المكثف و حث الملف ممل يجعل الملف كبيرا من جهة الحجم و تزداد مقاومة السلك مما يقلل معامل الجودة (راجع موضوع دوائر الرنين) و تقل انتقائيتها للتردد.
فمثلا لو أردت تردد مثل 300 ذ/ث و كانت الجودة 10 إذن 300 ÷ 10 = 30 ذ/ث لكن بانتقائية تصل 2%
فالنطاق سيصبح 6 ذ/ث
الحل البديل أن تستخدم دائرة مكبر عمليات مع مرشح T مزدوج للحصول على انتقائية عالية ثم دائرة تقويم للحصول على إشارة الخرج و مقارن للحصول على المطلوب
إذن بكل ألمقاييس هذه القطعة أرخص فثمنها لا يتعدى ثمن مكبر العمليات التقليدى بكثير.
من التطبيقات الشيقة التى نفذتها قبل ظهور الميكرو كونتروللر، هو مسجل عادى من النوع ستريو واستغللت أحدى القناتين لتسجيل الشرح و الأخرى لتسجيل نغمات تحكم كل نغمة تضئ مكان محدد متزامنا مع الشرح (نموذج مصغر للصوت والضوء)
الآن طبعا استخدام الميكرو و الام بى ثرى يقدم نتائج أفضل من الكاسيت إلا أن مجالات الاستخدام محصورة بخيالك فيمكن استخدامها مع التليفون لتمييز الرقم المطلوب مشغول أم جرس و متى يرد لإرسال أوامر تشغيل عبر الهاتف كما أن طريقة DTMF ترسل أمرا واحدا فى المرة الواحدة لكن هذه الطريقة ترسل عدد من الأوامر معا.
من يقول أنه يستطيع أن ينفذ هذه الوظيفة بالميكرو أقول قارن الثمن ووقت التنفيذ ، هذه القطعة تعطيك الوظيفة بينما يقرر الميكرو ماذا يفعل بعد ذلك.
يمكنك تحميل صفحة المواصفات من هذا الرابط
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/8984/NSC/LM567.html
ستجد تركيب الدائرة عبارة عن
attachment.php

تتكون من مذبذب يتغير تردده بالجهد و المسمى
Voltage Controlled Oscillator واختصارا VCO وهذا المذبذب ذو درجة ثبات عالية و التحكم فى تردده بواسطة مقاومة بين الطرفين 5،6 و مكثف بين الطرف 6 والأرضى. يمكنك تغيير التردد بنسبة 20:1 بتغيير هذه المقاومة فقط و طبعا باختيارها ذات دقة عالية يمكنك تحديد التردد أو إن لم تجد فيمكنك اختيار مقاومة ثابتة و أخرى متغيرة على التوالى و طبعا للحصول على دقة عالية فى الضبط تكون المقاومة المتغيرة من 1/10 إلى نصف المقاومة الثابتة. كما يمكن اختيار مقاومة متعددة اللفات أيضا.
هناك كاشفى وجه Phase Detectors بينهما 90 درجة و يسميان I,Q وهو اصطلاح لهذه التقنية و تستخدم لإضافة دقة كشف أعلى.
التردد المطلوب الكشف عن وجودة يحدد بالعلاقة ألمبينه حيث المقاومة ما بين طرفى 5،6 و المكثف بين 6 والأرضى
التردد = 1 ÷ حاصل ضرب (1.1 × المقاومة × المكثف)
الدخول وهو الإشارة المطلوب فحصها و معرفة ما إن كانت تحتوى هذا التردد أم لا، يوصل إلى الطرف 3 وهو يغذى هذين الكاشفين أيضا فكما نعلم كاشف الوجه يقارن إشارتين ويعطى فرق الوجه بينهما و عند التردد الصحيح وتطابق الوجه يكون خرج أحدهما أقصى ما يمكن.

الخرج الطرف رقم 8 عبارة عن ترانزيستور ذو مجمع مفتوح Open Collector و عند التردد الصحيح يكون فى حال التشبع و يمكنه تشغيل ريلاى مباشرة، و إذا خرج التردد عن القيمة الصحيحة يعود لحالة القفل OFF مرة أخرى، ولذلك تجد فى كل دوائر هذه القطعة دوما يوصل مقاومة للتغذية الموجبة Pull Up.

لكن التردد الدقيق أمر غير مرغوب دوما حيث هناك احتمال أن تتغير الأمور فى نطاق محدود، لهذا كان الطرف 2 المسمى LOOP Filter ووضع مكثف بينه و بين الأرضى يزيد عرض النطاق المقبول وفى صفحة 8 تجد المعادلة التى تحدد علاقة هذا النطاق بالنسبة لهذا المكثف.
النطاق هنا = 1070 مضروبا فى الجذر التربيعى لقسمة جهد الدخول على تردد المذبذب×C2 بالميكروفاراد أى لا تحول القيمة للفاراد بالقسمة على 10^6 فالثابت 1070 أخذ هذا التحويل فى الحسبان لكن جهد الدخول بالفولت ولاحظ أنه يجب ألا يزيد عن 200 مللى فولت . الزيادة عن ذلك تزيد من الاستجابة الخاطئة
attachment.php

وهذا خطأ يقع فيه الكثير حيث يأخذ الخرج من دائرة رقمية مباشرة تعطى 5 فولت أو 12 فولت لدخل هذه الدائرة وهذا لا يمكن من فصل الترددات عن بعضها بنفس الجودة.
وكيف أثبت جهد الدخول عند 200 مللى؟
هذه الدائرة يعطى 600 مللى و يمكن استخدامها مباشرة أو استخدام ثنائيات جرمانيوم تحصل على 400 مللى أو شوتكى تحصل على 300 مللى كل هذه القيم رغم أن بعضها أكبر قليلا من 300 مللى فولت إلا أنها تعطى نتائج مرضية.
attachment.php

عادة تستجيب هذه الدائرة فى خلال ثمانى ذبذبات من الدخول، إن شئت التأخير عن ذلك يمكنك إضافة مكثف آخر على الطرف رقم 1
فى صفحة 6 كيف تستخدمها لتحليل نغمات التليفون ألمسماه DTMF لتتمكن من إرسال أوامر عبر الهاتف
هذا النظام يستخدم ترددات فريدة لتكويد الأرقام و يمكن بها إرسال 16 كود مختلف 10 منها للأرقام و الباقية يمكن استخدامها لإرسال أوافر للسنترال (البدال أو المغير) لتنفيذ أوامر خاصة كتحويل المكالمة الخ
لذا لو فضلت استخدام القطعة الشهيرة CN8870 ستجد أنها مجموعة من هذه الوظيفة و تعطى الرقم ثنائى مباشرة و إشارة تفيد "لدى رقم الآن" و السبب فى ذلك أنها لو لم يأتى تردد سيكون الخرج = صفر رقمى وهذا قد يوحى بخطأ فما لم يعطى إشارة أن الرقم صفر حقيقى لا يجب أن نقرأ خرج القطعة
وهذا عكس الدائرة المشروحة فى 567 فعندما لا يكون هناك دخل، لا يكون هناك خرج.
 

المرفقات

  • 567BD.png
    567BD.png
    19.6 KB · المشاهدات: 18
  • 567BW.png
    567BW.png
    8.4 KB · المشاهدات: 19
  • 600mv.PNG
    600mv.PNG
    2.1 KB · المشاهدات: 19

ماجد عباس محمد

عضو جديد
إنضم
3 سبتمبر 2006
المشاركات
5,325
مجموع الإعجابات
197
النقاط
0
متكاملات مكبرات القدرة

مكبرات القدرة LM380-LM386 و غيرها:

باستخدم مكبر عمليات مضاف إليه ترانزيستورى قدرة فى الخرج يمكن أن نحصل على مكبر قدرة .
من أشهر هذه الوحدات
LM380 بقدره تصل إلى 2.5 وات و الوحدة LM386 المزودة بمكبر إضافى و بقدرة تصل إلى من نصف إلى وات كامل. السبب الذى اخترت من أجله هذين الرقمين أنهما يعطيان فى مدى التردد الفوق صوتى مما يوسع نطاق استخداماتهما كثيرا فالأول يعطى عند تردد حتى 100 ك هرتز و الثانى حتى 300 ك هرتز بينما غالبية الأرقام الأخرى تقف عند 20 إلى 30 ك فقط.
المتكاملة LM380 مكبر قدرة:
هذه الدائرة تبين تركيبها من الداخل حيث تري القوس الأحمر يقسمها جزأين الأيمن مكبر للقدرة و الأيسر هو مكبر تفاضلى مثيل لما شرح فى مكبر العمليات LM358 حيث يستخدم ترانزيستورات م س م P N P بهدف أن يكون فاعلا فى جهود الدخول القريبة من الأرضى لذا لا يحتاج لإستخدام جهدين موجب و سالب ككثير من المتكاملات الأخرى
attachment.php

من الملاحظ أيضا أن باعث ترانزيستو القدرة متصل بستة أطراف من المتكاملة بهدف التبريد وهى 3،4،5،10،11،12 و لذا يجب توصيلها خارجيا بالطرف الأرضى الخاص بالمكبر رقم 7 و لهذا يكون شكل المتكاملة كما يلى
attachment.php

و ترى الأطراف الوسطى مكتوب عليها GND و عليها ملحوظة انها أطراف المبرد.
المبرد المقترح من الشركة الصانعة مبين فى الداتاشيت وهو شريحتين معدنيتين يمكنك قصهما من أى علبة معدنية قابلة للحام (الألومنيوم لا يقبل لحام القصدير) وهى 3.8 × 3.8 سم و يفضل ثنيها من الجانبين حتى تبتعد عن باقى الأطراف فلا تتلامس معها و تلحم واحدة على كل جانب فوق الأطراف الثلاث الوسطى.
attachment.php


من خواصها انها تقبل مدى واسع من جهد التغذية من 10 حتى 20 فولت و خرجها محمى من القصر و أيضا أن كسبها مثبت عند 50 وهذا يجعل الحساب أسهل.
فمثلا لو ستستخدم 10 فولت للتغذية، سيكون الخرج +/- 5 فولت و بالقسمة على 50 يكون تحتاج 100 مللى فولت للدخول للحصول على القدرة الكاملة.

دوائرها عديدة و الداتا شيت حافل وهنا دارتين منها
attachment.php

الدائرة العليا هى مكبر تقليدى وهى تستخدم للأقط تشغيل الإسطوانات كما تصلح لتكبير الإشارة من أى جهاز مزود بمخرج صوت مثل الحاسب أو المحمول أو أى عازف mp3 مثلا أو خرج مستقبل اقمار "دش" الخ، حيث نلاحظ فى التوصيل الأساسى لها أن الدخول عادة ما يكون للطرف الموجب أى الغير عاكس، وهذه النقطة هامة جدا فى انظمة الستيريو حيث فرق الوجه بين السماعات يسبب فرق كبير فى خروج الصوت مجسم أم مجرد صوت.
الطرف العاكس "السالب" هنا غير متصل بشيئ ولو كان مصدر الصوت ذو مقاومة كبيرة فيفضل توصيل مثيلها (مقاومة بقيمة مقاربة) بين الطرف العاكس و الأرضى لحقيق التماثل فى ترانزيستورى الدخل و من ثم يكون الخرج بدون صوت فى منتصف جهد التغذية و كثيرا ما يستخدم فى التغذية العكسية بهدف زيادة الخرج عند ترددات ما لتعديل التغمة.
مقاومة متغيرة 25ك للتحكم فى شدة الصوت و المقاومة 10 ك مع المكثف 0.05 ميكرو للتحكم فى النغمة.
يفضل استخدام مكثف ترشيح بين الطرف 1 والأرضى لترشيح مسار التغذية داخل المتكاملة و تقليل أثار الطنين و تقليل احتمالات الإهتزاز.
مرشح الخرج المقاومة 2.7 أوم و مكثف 0.1 ميكرو للأرض لإخماد الإهتزازات و استقرار المتكاملة.
الدائرة الثانية تسمى قنطرة حيث يغذى مدخلى المتكاملتين عكس بعضهما وبهذا عندما يتجه خرج إحداهما للموجب يتجه خرج الأخرى للأرض و بهذا يزداد فرق الجهد على السماعة المتصلة بين الخرجين فتزيد قدرة الخرج.
و فى الداتا شيت أيضا دائرة تستخدم تليتوك للإتصال بين نقطتين باستخدام السماعة كميكروفون فى الجهتين و دائرة مهتز يولد موجة جيبية لكن بقدرة 2.5 وات.
المرة القادمة إن شاء الله LM386 أعلى كسبا من هذه
 

المرفقات

  • LM380-00.png
    LM380-00.png
    4.6 KB · المشاهدات: 18
  • LM380-01.png
    LM380-01.png
    2.2 KB · المشاهدات: 17
  • LM380-02.png
    LM380-02.png
    1.5 KB · المشاهدات: 17
أعلى